Effects of Bi doping on the thermoelectric properties of beta-Zn4Sb3 | |
Qin, XY ; Liu, M ; Pan, L ; Xin, HX ; Sun, JH ; Wang, QQ | |
刊名 | journal of applied physics |
2011 | |
卷号 | 109期号:3 |
学科主题 | 新型功能材料与固体内耗 |
公开日期 | 2012-07-12 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/6486] |
专题 | 合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Qin, XY,Liu, M,Pan, L,et al. Effects of Bi doping on the thermoelectric properties of beta-Zn4Sb3[J]. journal of applied physics,2011,109(3). |
APA | Qin, XY,Liu, M,Pan, L,Xin, HX,Sun, JH,&Wang, QQ.(2011).Effects of Bi doping on the thermoelectric properties of beta-Zn4Sb3.journal of applied physics,109(3). |
MLA | Qin, XY,et al."Effects of Bi doping on the thermoelectric properties of beta-Zn4Sb3".journal of applied physics 109.3(2011). |
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