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	Ti-Ti sigma bond at oxygen vacancy inducing the deep defect level in anatase TiO2 (101) surface
	Hao, Ya-nan; Chen, Tingwei; Zhang, Xiao; Zhou, He; Ma, Yuchen
刊名	JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS
	2019
卷号	150期号:22
DOI	10.1063/1.5108595
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4546138
专题	山东大学
作者单位	Shandong Univ, Sch Chem & Chem Engn, Jinan 250100, Shandong, Peoples R China.
推荐引用方式 GB/T 7714	Hao, Ya-nan,Chen, Tingwei,Zhang, Xiao,et al. Ti-Ti sigma bond at oxygen vacancy inducing the deep defect level in anatase TiO2 (101) surface[J]. JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,2019,150(22).
APA	Hao, Ya-nan,Chen, Tingwei,Zhang, Xiao,Zhou, He,&Ma, Yuchen.(2019).Ti-Ti sigma bond at oxygen vacancy inducing the deep defect level in anatase TiO2 (101) surface.JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS,150(22).
MLA	Hao, Ya-nan,et al."Ti-Ti sigma bond at oxygen vacancy inducing the deep defect level in anatase TiO2 (101) surface".JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS 150.22(2019).

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