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	Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors
	Wu, Jixuan; Ma, Xiaolei; Chen, Jiezhi; Jiang, Xiangwei
刊名	Applied Physics Express
	2019
卷号	12期号:3
DOI	10.7567/1882-0786/ab00ea
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公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4536591
专题	山东大学
作者单位	1.School of Information Science and Engineering, Shandong University, Qingdao, China 2.[Wu, Jixuan 3.Ma, Xiaolei
推荐引用方式 GB/T 7714	Wu, Jixuan,Ma, Xiaolei,Chen, Jiezhi,et al. Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors[J]. Applied Physics Express,2019,12(3).
APA	Wu, Jixuan,Ma, Xiaolei,Chen, Jiezhi,&Jiang, Xiangwei.(2019).Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors.Applied Physics Express,12(3).
MLA	Wu, Jixuan,et al."Defects coupling impacts on mono-layer WSe2 tunneling field-effect transistors".Applied Physics Express 12.3(2019).

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