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	High-Temperature Plateau-Rayleigh Growth of Beaded SiC/SiO2 Nanochain Heterostructures
	Chu, Yanhui[1]; Jing, Siyi[1]; Yu, Xiang[3]; Zhao, Yunlong[2]
	2018
卷号	18期号:5页码:2941
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4460641
专题	暨南大学
作者单位	1.[1]South China Univ Technol, Sch Mat Sci & Engn, Guangzhou 510641, Guangdong, Peoples R China 2.[2]Harvard Univ, Dept Chem & Chem Biol, Cambridge, MA 02138 USA 3.[3]Jinan Univ, Analyt & Testing Ctr, Guangzhou 510632, Guangdong, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Chu, Yanhui[1],Jing, Siyi[1],Yu, Xiang[3],et al. High-Temperature Plateau-Rayleigh Growth of Beaded SiC/SiO2 Nanochain Heterostructures[J],2018,18(5):2941.
APA	Chu, Yanhui[1],Jing, Siyi[1],Yu, Xiang[3],&Zhao, Yunlong[2].(2018).High-Temperature Plateau-Rayleigh Growth of Beaded SiC/SiO2 Nanochain Heterostructures.,18(5),2941.
MLA	Chu, Yanhui[1],et al."High-Temperature Plateau-Rayleigh Growth of Beaded SiC/SiO2 Nanochain Heterostructures".18.5(2018):2941.

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