Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱

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	Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱
	吴伟明,高英俊,邓文,罗里熊,许少杰,钟夏平,蒋晓军
刊名	中国有色金属学报
	1997-12-30
期号	4 页码:126-129
关键词	深低温正电子寿命谱 Al-Li-Cu-Mg-Zr合金缺陷
中文摘要	在深低温到室温不同温度下，测量了不同时效状态的Ａｌ-Ｌｉ-Ｃｕ-Ｍｇ-Ｚｒ合金和含Ｚｎ、Ａｇ或Ｓｃ的合金的正电子寿命谱。分析表明：峰值时效使热空位大量回复并使基体电子密度提高。在深低温下，空位主要以单空位形式存在且随温度升高而激活并运动复合成多空位。Ｚｎ和Ａｇ对空位的运动有束缚作用，Ｓｃ有助于空位的运动。样品在低温下基体电子密度升高，对合金低温强度产生重要影响。
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/27770]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴伟明,高英俊,邓文,罗里熊,许少杰,钟夏平,蒋晓军. Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱[J]. 中国有色金属学报,1997(4):126-129.
APA	吴伟明,高英俊,邓文,罗里熊,许少杰,钟夏平,蒋晓军.(1997).Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱.中国有色金属学报(4),126-129.
MLA	吴伟明,高英俊,邓文,罗里熊,许少杰,钟夏平,蒋晓军."Al-Li合金中缺陷和电子密度的正电子寿命谱".中国有色金属学报 .4(1997):126-129.