题名 | 500MHz单cell超导高频腔测试技术研究 |
作者 | 侯洪涛 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2010-11 |
授予单位 | 中国科学院研究生院 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 刘建飞 |
学位专业 | 核技术及应用 |
中文摘要 | 上海光源储存环采用了三台 500MHz 超导腔为电子提供能量,超导腔的可靠、稳定运行直接影响光源装置的稳定和长期供光。一旦超导腔出现重大故障,则上海光源需要超导备用腔来保证光源尽快恢复运行;未来的强流直线加速器必然要求采用大孔径的超导高频腔模组,以提高束流流强阈值并避免高次模的影响。500MHz 单cell 超导高频腔的成功研制,将不仅为上海光源储存环备用超导腔模组提供核心部件,也为不久将来的强流加速器装置提供不可或缺的关键部件。超导腔的研制是一个极其复杂、苛刻的流程,主要包括铌腔加工成型、表面处理、垂直测试、集成技术和水平测试等环节,超导腔的性能测试是检验超导腔的研制是否成功的关键环节,本论文主要针对超导腔的测试设施和测试技术开展研究,成功实施500MHz 单cell 超导腔的垂直测试,评价超导腔的加工工艺和表面处理工艺,探索并建立超导腔的表面处理标准流程。本论文首先介绍了利用“凹-凸模”深冲压和电子束焊接相结合的工艺、成功完成的基于KEKB 型的500MHz 单cell 铌腔的加工成型,得到了可靠的和可行的加工工艺和加工流程;其次介绍了利用手动抛光、缓冲化学抛光、超纯水高压喷淋、超净间组装、真空低温烘烤等表面处理工艺对所加工的500MHz 单cell超导腔的表面处理,分析和解决了表面处理过程中遇到的问题,得到了可行的表面处理工艺流程和相关工艺参数。 |
公开日期 | 2012-04-13 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/7448] |
专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 侯洪涛. 500MHz单cell超导高频腔测试技术研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2010. |
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