半导体硅中电化学注锂的研究

	半导体硅中电化学注锂的研究
	彭瑞伍 ; 丁永庆 ; 李季龙
刊名	化学学报
	1984
期号	02
ISSN号	0567-7351
中文摘要	在室温和非水溶液中用电化学法向p-Si中注入锂。借循环伏安法和i-t曲线观察锂在硅表面的析出和溶出过程。结果表明,锂的注入过程受锂在硅表面层中的扩散和外场所控制,因此可以用场制扩散方程式描述,SIMS法测得的锂的纵向浓度分布证实了上述看法。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104418]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	彭瑞伍,丁永庆,李季龙. 半导体硅中电化学注锂的研究[J]. 化学学报,1984(02).
APA	彭瑞伍,丁永庆,&李季龙.(1984).半导体硅中电化学注锂的研究.化学学报(02).
MLA	彭瑞伍,et al."半导体硅中电化学注锂的研究".化学学报 .02(1984).