| 题名 | 利用Pseudo-MOS方法研究改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应 |
| 作者 | 杨慧 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2007 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张正选 ; 张峰 |
| 关键词 | SOI SIMOX 总剂量辐照效应 硅注入 Pseudo-MOS |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，SOI技术由于其独特的优越性，被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在，使SOI材料抗总剂量辐照效应的能力受到限制。为了提高SIMOX SOI材料的抗总剂量辐照能力，本论文对SIMOX SOI材料进行改性，并研究改性工艺对材料结构和性能的影响。同时，为了缩短SOI材料的改性试验周期，我们将pseudo-MOS方法用于表征SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应，分析改性工艺对材料总剂量辐照性能的影响。 本论文采用硅离子注入工艺对SIMOX SOI材料进行改性，并利用扩展电 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82789]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨慧 . 利用Pseudo-MOS方法研究改性SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2007. |
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