| 题名 | InP基量子点激光器制备工艺及其性能研究 |
| 作者 | 李世国 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2010 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 封松林 |
| 关键词 | 量子点激光器 气源分子束外延 器件工艺 激射波长 输出功率 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 半导体量子点具有类似于单个原子的不连续能级结构，使得它对于基础物理研究和新型电子及光电器件研究都有很重要的意义，量子点材料生长与器件应用一直是国际上研究的热点之一。本论文利用气源分子束外延技术（GSMBE）在InP衬底上生长了不同结构的量子点器件材料，通过半导体制造技术，制备出了不同脊条宽度和腔长的量子点激光器并测试表征了激光器的各种性能参数。本论文主要包括以下几个方面： |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82524]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李世国. InP基量子点激光器制备工艺及其性能研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2010. |
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