新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究

	新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究
	艾立鹍 ; 徐安怀 ; 孙浩 ; 朱福英 ; 齐鸣
刊名	固体电子学研究与进展
	2010
期号	01
关键词	酶联免疫吸附测定肿瘤抑制蛋白质p53 辣根过氧化物酶金属纳米粒子生物传感技术
ISSN号	1000-3819
中文摘要	设计并生长了一种新的InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入n+-InGaP插入层结构,以解决InGaP/GaAs/InGaP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量外延材料,成功地生长出带有n+-InGaP插入层结构的GaAs基InGaP/GaAs/InGaP DHBT结构材料。采用常规的湿法腐蚀工艺,研制出发射极面积为100μm×100μm的新型结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52599]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	艾立鹍,徐安怀,孙浩,等. 新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究[J]. 固体电子学研究与进展,2010(01).
APA	艾立鹍,徐安怀,孙浩,朱福英,&齐鸣.(2010).新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究.固体电子学研究与进展(01).
MLA	艾立鹍,et al."新结构InGaP/GaAs/InGaP DHBT生长及特性研究".固体电子学研究与进展 .01(2010).