Accuracy control of SiO2 etching in inductively coupled CF4/Ar plasmas | |
Dai ZL(戴忠玲); Wang YN(王友年) | |
2017 | |
会议名称 | 1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics, 18-23, 09.2017 |
页码 | - |
会议录 | 1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics, 18-23, 09.2017 |
URL标识 | 查看原文 |
WOS记录号 | [DB:DC_IDENTIFIER_WOSID] |
内容类型 | 会议论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3289873 |
专题 | 大连理工大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Dai ZL,Wang YN. Accuracy control of SiO2 etching in inductively coupled CF4/Ar plasmas[C]. 见:1st Asia-Pacific Conference on Plasma Physics, 18-23, 09.2017. |
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