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磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化
马铭; 任瑛; 侯晓多; 陈国清; 张贵锋
刊名大连理工大学学报
2019
卷号59页码:28-34
关键词多元高熵合金薄膜 低温渗氮 力学性能
ISSN号1000-8608
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WOS记录号[db:dc_identifier_wosid]
内容类型期刊论文
URI标识http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3234078
专题大连理工大学
作者单位1.大连理工大学材料科学与工程学院, 辽宁 大连 116024
2.大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室, 辽宁 大连 116024
3.河南工业大学材料科学与工程学院,河南 郑州,450001
推荐引用方式
GB/T 7714
马铭,任瑛,侯晓多,等. 磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化[J]. 大连理工大学学报,2019,59:28-34.
APA 马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,&张贵锋.(2019).磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化.大连理工大学学报,59,28-34.
MLA 马铭,et al."磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化".大连理工大学学报 59(2019):28-34.
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