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	Analysis of SiC MOSFET dI/dt and its temperature dependence
	Li, Hui[1]; Liao, Xinglin[1]; Hu, Yaogang[1]; Zeng, Zheng[1]; Song, Erbing[1]; Xiao, Hongwei[1]
	2018
卷号	11页码:491-500
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2980571
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Li, Hui[1],Liao, Xinglin[1],Hu, Yaogang[1],et al. Analysis of SiC MOSFET dI/dt and its temperature dependence[J],2018,11:491-500.
APA	Li, Hui[1],Liao, Xinglin[1],Hu, Yaogang[1],Zeng, Zheng[1],Song, Erbing[1],&Xiao, Hongwei[1].(2018).Analysis of SiC MOSFET dI/dt and its temperature dependence.,11,491-500.
MLA	Li, Hui[1],et al."Analysis of SiC MOSFET dI/dt and its temperature dependence".11(2018):491-500.

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