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	A 0.13 mu m 64Mb HfOx ReRAM Using Configurable Ramped Voltage Write and Low Read-Disturb Sensing Techniques for Reliability Improvement
	Han, Xiaowei; Jia, Qian; Sun, Hongbin; Wang, Longfei; Wu, Huaqiang; Cai, Yimao; Zhang, Feng; Xie, Yongyi; Dong, Fangxu; Wang, Xiaoguang
	2017
会议录	2017 IEEE CUSTOM INTEGRATED CIRCUITS CONFERENCE (CICC)
URL标识	查看原文
内容类型	会议论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2923747
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Han, Xiaowei,Jia, Qian,Sun, Hongbin,et al. A 0.13 mu m 64Mb HfOx ReRAM Using Configurable Ramped Voltage Write and Low Read-Disturb Sensing Techniques for Reliability Improvement[C]. 见:.

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