一种金属薄膜溅射的PVD工艺

	一种金属薄膜溅射的PVD工艺
	高建峰; 唐兆云; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
	2018-12-04
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201510375208.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺，所述设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源，并通过调节惰性气体压力，提高了等离子体密度，结合PVD溅射的其他工艺参数，能形成电学性能良好，并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜，可延续溅射沉积工艺应用到22纳米及以下技术的后栅工艺中。
公开日期	2017-01-11
申请日期	2015-06-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18870]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	高建峰,唐兆云,殷华湘,等. 一种金属薄膜溅射的PVD工艺. CN201510375208.6. 2018-12-04.