一种CMOS结构及其制造方法

	一种CMOS结构及其制造方法
	李睿; 刘云飞; 尹海洲
	2018-09-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410459563.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种CMOS结构及其制造方法，包括：衬底；器件隔离区，所述器件隔离区将衬底分隔成第一区域和第二区域；所述第一区域中包括第一、第二鳍片，第一源区、第一漏区分别位于第一、第二鳍片顶部区域，构成具有U型沟道的NMOS结构；所述第二区域中包括第三、第四鳍片，第二源区、第二漏区分别位于第三、第四鳍片顶部区域，构成具有U型沟道的PMOS结构；栅极叠层；隔离区。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。
公开日期	2016-03-16
申请日期	2014-09-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18833]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李睿,刘云飞,尹海洲. 一种CMOS结构及其制造方法. CN201410459563.7. 2018-09-07.