一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法

	一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法
	杨涛; 卢一泓; 张月; 崔虎山; 李俊峰; 赵超
	2018-06-19
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410008441.6
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法，包括：在衬底上形成硬掩膜；刻蚀衬底以形成鳍；去除硬掩膜；填充隔离材料并进行平坦化；刻蚀去除部分厚度的隔离材料，以形成沟槽隔离。在刻蚀衬底形成鳍之后，就去除硬掩膜，避免了在平坦化后进行去除而导致的鳍表面的损伤，保证了鳍的质量，利于提高器件的性能。
公开日期	2015-07-08
申请日期	2014-01-08
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18797]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杨涛,卢一泓,张月,等. 一种Fin-FET的沟槽隔离的形成方法. CN201410008441.6. 2018-06-19.