一种半导体器件的制造方法

	一种半导体器件的制造方法
	许高博; 徐秋霞
	2018-01-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310729611.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成倒梯形伪栅结构；移除伪栅结构，以形成倒梯形开口；部分填充所述开口，以形成高k栅介质、金属层和离子缓冲层；进行离子注入，使注入离子分布在金属层或高k栅介质层，实现金属栅功函数调节；去除离子缓冲层；填满所述开口，以形成替代栅极结构。在后栅工艺中，采用离子注入工艺改变金属栅功函数，满足器件对金属栅功函数的要求，工艺简单且易于调节功函数的大小，离子缓冲层一方面可以控制注入离子在金属层或高k栅介质层的分布，另一方面有利于N型与P型半导体器件的集成。
公开日期	2015-07-01
申请日期	2013-12-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18736]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	许高博,徐秋霞. 一种半导体器件的制造方法. CN201310729611.5. 2018-01-02.