用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法

	用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法
	项金娟2 ; 王大伟 1; 苗红艳 1; 杨淑艳 2; 许从应 2; 赵超2 ; 丁玉强 1
	2017-09-15
著作权人	江南大学 ; 中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410532553.1
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)或(II)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7相同或相异。依照本发明，利用分子间相互作用力的原理，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。
公开日期	2016-04-20
申请日期	2014-10-10
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17896]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	1.江南大学 2.中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	项金娟,王大伟,苗红艳,等. 用于薄膜沉积的铝前驱体及其制备方法. CN201410532553.1. 2017-09-15.