半导体结构及其制造方法 | |
梁擎擎; 朱慧珑; 吴彬能; 肖卫平; 吴昊 | |
2014-08-19 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | US8809955 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | Semiconductor structures and methods for manufacturing the same are disclosed. The semiconductor structure comprises: a gate stack formed on a semiconductor substrate; a super-steep retrograde island embedded in said semiconductor substrate and self-aligned with said gate stack; and a counter doped region embedded in said super-steep retrograde island, wherein said counter doped region has a doping type opposite to a doping type of said super-steep retrograde island. The semiconductor structures and the methods for manufacturing the same facilitate alleviating short channel effects. |
公开日期 | 2012-07-19 |
申请日期 | 2011-04-26 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13272] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁擎擎,朱慧珑,吴彬能,等. 半导体结构及其制造方法. US8809955. 2014-08-19. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论