半导体器件及其制造方法 | |
刘洪刚; 殷华湘; 罗军; 赵超; 陈大鹏 | |
2014-08-26 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | US8816326 |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | A semiconductor device, which comprises: a semiconductor substrate; a channel region on the semiconductor substrate, said channel region including a quantum well structure; a source region and a drain region on the sides of the channel region; a gate structure on the channel region; wherein the materials for the channel region, the source region and the drain region have different energy bands, and a tunneling barrier structure exists between the source region and the channel region. |
公开日期 | 2013-05-10 |
申请日期 | 2011-11-25 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/13206] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘洪刚,殷华湘,罗军,等. 半导体器件及其制造方法. US8816326. 2014-08-26. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论