一种具有低相位噪声的高频压控振荡器 | |
陈岚; 吕志强 | |
2012 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明 |
英文摘要 | 一种低相位噪声压控振荡器,包括:谐振电路、负阻电路、电流源电路、反馈电路和缓冲电路;谐振电路中的差分电感只与HBT的基极互相连接,减少了谐振回路的等效电容,是提高压控振荡器工作频率的主要因素;谐振电路中容抗管采用反向二极管,反向二极管工作于反向工作区,反向二极管的电容相对于MOS容抗管,其值大小随控制电压ATUNE的变化较小,因此具有较好的相位噪声;HBT作为压控振荡器负阻单元的主要部分,工作于正向工作区,起到快速起振的作用;电流源电路采用HBT,HBT工作于正向工作区,HBT具有较低的闪烁噪声,因此促进压控振荡器的相位噪声。 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/17647] |
专题 | 微电子研究所_EDA中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈岚,吕志强. 一种具有低相位噪声的高频压控振荡器. 2012-01-01. |
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