| 一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法 | |
| 王虹; 卢力; 赵威; 王盛凯; 刘洪刚; 孙兵; 薛百清; 常虎东 | |
| 2011-12-05 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法，属于半导体集成技术领域。所述方法通过向极薄锗衬底上沉积较薄的二氧化锗，通过热力学控制方法，生成挥发性的一氧化锗, 达到减薄锗层的效果。本发明具有低成本高均匀性易控制的优点。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/9913]  |
| 专题 | 微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王虹,卢力,赵威,等. 一种硅基绝缘体上锗衬底减薄的方法. 2011-12-05. |
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