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	The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs
	Wang J(王剑); Li BH(李彬鸿); Huang Y(黄杨); K.Zhao; F.Yu; Q.Zhang; Q.Guo; L.Xu; Gao JT(高见头); Cai XW(蔡小五)
	2018-10-01
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19123]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang J,Li BH,Huang Y,et al. The total ionizing dose response of leading-edge FDSOI MOSFETs[C]. 见:.

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