辐射探测电路

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 硅器件与集成研发中心

	辐射探测电路
	刘梦新; 罗家俊; 韩郑生; 赵发展; 刘鑫
	2017-01-18
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410594331.2
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明提供了一种辐射探测电路，包括：辐射感应探测器，所述辐射感应探测器为用于感测待测辐射的PMOS晶体管；电流控制器，用于控制所述辐射感应探测器中通过的电流大小；信号放大器，用于放大所述辐射感应探测器的输出；比较放大器，用于将信号放大器的输出与参考信号进行比较，将比较产生的差值放大后输出。本发明通过使用恒定电流源将由辐射敏感PMOS管所产生的电流，转换为阈值电压的变化，经放大器比较读出后能直接得到辐射的总剂量，不仅简便易行，且电路结构简单，无多余的耗电元件，与现有技术相比极大地降低了功耗。
公开日期	2015-03-11
申请日期	2014-10-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17735]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘梦新,罗家俊,韩郑生,等. 辐射探测电路. CN201410594331.2. 2017-01-18.