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	Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory
	Zhao, FZ; Liu, MX; Guo, TL; Liu, G; Hai, CH; Han, ZS; Yang, SC; Li, RB; Lin, DS; Chen, W
	2008
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8762]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhao, FZ,Liu, MX,Guo, TL,et al. Study on the dose rate upset effect of partially depleted silicon-on-insulator static random access memory. 2008.

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