HBT工艺中介质平面平坦化的方法

	HBT工艺中介质平面平坦化的方法
	金智; 刘新宇
	2012-01-25
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200810104228.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明一种异质结双极性晶体管(HBT)工艺中介质平面平坦化的方法，包括：A.在已进行发射极金属蒸发、发射极腐蚀、基极金属蒸发、基极和集电极腐蚀、隔离腐蚀，以及基极和集电极接线柱制作的基础上，旋涂介质层；B.在高温下进行介质固化；C.将基片放在等离子体下，用干法刻蚀介质，直到露出发射极金属顶面和接线柱；D. 在介质表面旋涂光刻胶；E.光刻、显影，形成布线图形；F.蒸发布线金属；G.进行布线金属的剥离。利用本发明，能有效提高器件的成品率，避免微空气桥制作中的不稳定性，对提高器件性能的一致性有很大的作用。
公开日期	2009-10-21
申请日期	2008-04-16
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7548]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	金智,刘新宇. HBT工艺中介质平面平坦化的方法. CN200810104228.X. 2012-01-25.