自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器

	自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器
	王延; 孙海峰
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:4 页码:5，406-410
关键词	自对准工艺
ISSN号	0253-4177
英文摘要	对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究，采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来完成BE金属自对准工艺，最终制作出的器件平均阈值电压为1．15V，单指管子电流增益为50，发射极面积4μm×14μm的单管在IB＝200μA和VCE＝2V偏压条件下截止频率达到了40GHz。设计并制作了直接反馈和CE－CC－CC两种单片集成跨阻放大器电路，测量得到的跨阻增益在3dB带宽频率时分别为50．6dBΩ和45．1dBΩ,3dB带宽分别为2．7GHz和2．5GHz，电路最小噪声系数分别为2．8dB和3．2dB。
语种	中文
公开日期	2010-05-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/846]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	王延,孙海峰. 自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器[J]. 半导体学报,2003,24(4):5，406-410.
APA	王延,&孙海峰.(2003).自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器.半导体学报,24(4),5，406-410.
MLA	王延,et al."自对准InGaP／GaAs HBT单片集成跨阻放大器".半导体学报 24.4(2003):5，406-410.