Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices | |
Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang | |
刊名 | NANOMATERIALS |
2018 | |
卷号 | 8期号:2页码:77 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29023] |
专题 | 半导体研究所_半导体集成技术工程研究中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang. Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices[J]. NANOMATERIALS,2018,8(2):77. |
APA | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang.(2018).Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices.NANOMATERIALS,8(2),77. |
MLA | Zhe Ma ; Yang Liu ; Lingxiao Deng ; Mingliang Zhang ; Shuyuan Zhang ; Jing Ma ; Peishuai Song ; Qing Liu ; An Ji ; Fuhua Yang ; Xiaodong Wang."Heavily Boron-Doped Silicon Layer for the Fabrication of Nanoscale Thermoelectric Devices".NANOMATERIALS 8.2(2018):77. |
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