碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

doi:10.3866/PKUMHXB201601292

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应; Contact Resistance Effects in Carbon Nanotube Thin Film Transistors
	夏继业 ; 董国栋 ; 田博元 ; 严秋平 ; 韩杰 ; 邱松 ; 李清文 ; 梁学磊 ; 彭练矛
刊名	物理化学学报
	2016
关键词	碳纳米管薄膜晶体管接触电阻欧姆接触肖特基势垒 Carbon nanotube Thin film transistor Contact resistance Ohmic contact Schottky barrier FIELD-EFFECT TRANSISTORS CIRCUITS MACROELECTRONICS PERFORMANCE ELECTRONICS FABRICATION DISPERSION SEPARATION
DOI	10.3866/PKUMHXB201601292
英文摘要	利用不同功函数的金属作为接触电极,研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触,Au则形成近欧姆接触,这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触,且Al接触比Ti接触的势垒更高,接触电阻也更大,相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能,这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。; The contact resistance effect in the network type carbon nanotube thin film transistors (CNT-TFTs) is studied by using different contact metals. It is shown that palladium (Pd) can form an ohmic type contact with the carbon nanotube thin film, and gold (Au) forms an almost ohmic contact. On-state current and carrier mobility in the devices of these two contacts are high. In contrast, both titanium (Ti) and aluminum (Al) form Schottky type contacts with the carbon nanotube thin film. The barrier height and the contact resistance of the Al contact are higher than those of the Ti contact. Therefore, the on-state current and carrier mobility are relatively low in the corresponding devices of these two types of contacts. These results indicate that the performance of CNTTFTs can be tuned by the contact metal, which is important for the commercialization of CNT-TFTs.; 国家自然科学基金,北京市科学技术委员会,教育部; SCI(E); 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科技核心期刊(ISTIC); 中国科学引文数据库(CSCD); liangxl@pku.edu.cn; 4; 1029-1035; 32
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/452170]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	夏继业,董国栋,田博元,等. 碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应, Contact Resistance Effects in Carbon Nanotube Thin Film Transistors[J]. 物理化学学报,2016.
APA	夏继业.,董国栋.,田博元.,严秋平.,韩杰.,...&彭练矛.(2016).碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应.物理化学学报.
MLA	夏继业,et al."碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应".物理化学学报 (2016).