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	Investigation of the Impact of Grain Boundary on Threshold Voltage of 3-D MLC NAND Flash Memory
	Lun, Zhiyuan ; Shen, Lei ; Cong, Yingying ; Du, Gang ; Liu, Xiaoyan ; Wang, Yi
	2015
英文摘要	CPCI-S(ISTP); gangdu@pku.edu.cn; xyliu@ime.pku.edu.cn
语种	英语
出处	Silicon Nanoelectronics Workshop
内容类型	其他
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/450344]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	Lun, Zhiyuan,Shen, Lei,Cong, Yingying,et al. Investigation of the Impact of Grain Boundary on Threshold Voltage of 3-D MLC NAND Flash Memory. 2015-01-01.

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