硅DRIE刻蚀工艺模拟研究

doi:10.3969/j.issn.1673-5692.2011.01.007

CORC > 北京大学 > 信息科学技术学院

	硅DRIE刻蚀工艺模拟研究; The Simulation Research of DRIE Process
	朱福运 ; 于民 ; 金玉丰 ; 张海霞
刊名	中国电子科学研究院学报
	2011
关键词	硅通孔技术深反应离子刻蚀工艺模拟
DOI	10.3969/j.issn.1673-5692.2011.01.007
英文摘要	随着现代科技的发展,人们对微系统的小型化、高性能、多功能、低功耗和低成本的要求越来越高,基于硅通孔技术技术的三维系统封装技术(3D SiP,three dimensional dystem in packaging)愈发显现出其重要的研究价值.硅通孔技术将集成电路垂直堆叠,在更小的面积上大幅地提升芯片性能并增加芯片功能.为帮助工艺人员更好地开展硅通孔技术工艺实验,开展了硅通孔技术关键工艺深反应离子刻蚀工艺模拟研究工作及开展这一工作所采用的物理模型和模拟方法,并将模拟结果与实验结果进行了对比.; 国家重大专项项目; 自然科学基金重点项目; 0; 1; 28-30,35; 06
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/185443]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	朱福运,于民,金玉丰,等. 硅DRIE刻蚀工艺模拟研究, The Simulation Research of DRIE Process[J]. 中国电子科学研究院学报,2011.
APA	朱福运,于民,金玉丰,&张海霞.(2011).硅DRIE刻蚀工艺模拟研究.中国电子科学研究院学报.
MLA	朱福运,et al."硅DRIE刻蚀工艺模拟研究".中国电子科学研究院学报 (2011).