| 金箔上单层MoS_2以及MoS_2/Graphene叠层结构的可控制备、精密表征以及电催化应用研究 | |
| 张艳锋 | |
| 2016 | |
| 关键词 | 二硫化钼 二硫化钼/石墨烯异质结 控制生长 扫描隧道显微镜/隧道谱(STM/STS) 电催化析氢 |
| 英文摘要 | 大面积、大畴区、高质量单层半导体性过渡族金属硫属化合物(例如MX_2:M:Mo,W;X:S,Se,etc.)的可控制备是研究其卓越物理化学特性、探索其广泛应用的重要前提。然而,现有MX_2材料的制备均依赖绝缘性衬底,这类体系虽有利于光/电器件的直接构筑,但不利于微观形貌和电子结构的直接表征。通过低压化学气相沉积(LPCVD)的方法,我们在金箔上制备出了三角形畴区边缘尺寸(从0.5μm到50μm)可调的单层Mo S_2,并将其直接用于高效的电催化析氢反应。~([1,2,3])首次利用低能电子衍射(LEEM/LEED)对多晶畴区取向和畴区边界进行了在位识别。~([4])单层MX_2/Graphene层间异质结构因其优异的电子学和光电子学特性受到了人们的广泛关注。然而,现有基于机械剥离和逐层转移法构筑的异质结构,存在材料层数不可控、界面有污染以及无法批量制备等问题。我们利用两步CVD的生长方法,直接在Au箔上实现了Mo S_2/Graphene层间结构的可控制备。利用STM/STS获得了其原子尺度的微观形貌/缺陷态、弱掺杂的本征电子结构,激子结合能和光学带隙等基本特性。~([5])该研究对于层状材料异质结构的直接; 中国化学会; 2 |
| 语种 | 英语 |
| 出处 | 中国化学会第30届学术年会 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/483034]  |
| 专题 | 化学与分子工程学院 工学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张艳锋. 金箔上单层MoS_2以及MoS_2/Graphene叠层结构的可控制备、精密表征以及电催化应用研究. 2016-01-01. |
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