荧光激发光谱中突变现象的研究 | |
苗笛 ; 齐剑 ; 许振华 ; 徐怡庄 ; 吴瑾光 | |
2006 | |
关键词 | 荧光激发光谱 紫外吸收光谱 突变 拓扑结构 |
英文摘要 | 一般认为:荧光激发光谱和紫外吸收光谱有着等价的关系.但作者经常发现荧光物质的激发光谱与其吸收光谱不一致.通过分析认为:产生上述现象的原因与荧光光谱的测量方式有关.作者建立相关的数学模型加以讨论,发现荧光激发光谱的拓扑结构和被测物质的浓度有关.在低浓度测量中,激发光谱和吸收光谱基本一致.随着浓度升高,模型中第二类极值点的出现导致激发光谱的拓扑结构产生一系列的突变,导致样品的激发光谱和吸收光谱存在较大的差异.激发通过测定不同浓度萘的作者光谱证实了以上结论。; 0 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/217606] |
专题 | 化学与分子工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 苗笛,齐剑,许振华,等. 荧光激发光谱中突变现象的研究. 2006-01-01. |
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