单壁碳纳米管的表面生长 | |
李彦 ; 金钟 ; 周薇薇 ; 张岩 ; 刘宇 ; 王金泳 ; 崔荣丽 ; 褚海斌 | |
2008 | |
关键词 | 单壁碳纳米管 化学气相沉积 表面生长 |
英文摘要 | 单壁碳纳米管具有优异的性质,是未来纳电子器件的候选材料之一。单壁碳纳米管在表面上的可控生长对纳米器件的构筑非常重要,而生长于硅基底上的超长单壁碳纳米管水平阵列可用于制造基于单壁碳纳米管的大规模集成电路。我们从催化剂粒子的排布、碳纳米管与表面的相互作用这些; 0 |
语种 | 中文 |
出处 | 知网 |
内容类型 | 其他 |
源URL | [http://hdl.handle.net/20.500.11897/79300] |
专题 | 化学与分子工程学院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李彦,金钟,周薇薇,等. 单壁碳纳米管的表面生长. 2008-01-01. |
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