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	基于共振拉曼光谱的硅基底上单壁碳纳米管(n,m)指认
	张达奇 ; 杨烽 ; 杨娟 ; 李彦
	2014
关键词	单壁碳纳米管 手性指数 共振拉曼光谱
英文摘要	利用共振拉曼光谱对硅基底上的单壁碳纳米管手性指数(n,m)进行指认是无损获得碳管结构信息的重要方式。本工作利用两个激发波长指认了硅基底上直接CVD生长的随机取向单壁碳纳米管的(n,m)。通过将文献报道的Kataura关系图[1]的跃迁能数值红移80meV(半导体管)和60meV(金属管),我们获得了适合本实验条件的跃迁能数值。在此基础上对管径在1.2-2.1 nm的随机取向管进行了(n,m)指认,并拟合得到了关系式ωRBM=235.9/dt+5.5。该关系式对Ni、Co、Fe催化生长的随机取向管都适用。电子衍射、G峰和IFM峰等信息进一步确证了相关的指认。; 0
语种	中文
出处	知网
内容类型	其他
源URL	[http://hdl.handle.net/20.500.11897/79045]
专题	化学与分子工程学院
推荐引用方式 GB/T 7714	张达奇,杨烽,杨娟,等. 基于共振拉曼光谱的硅基底上单壁碳纳米管(n,m)指认. 2014-01-01.

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