| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法; p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 | |
| 张小宾 ; 王晓亮 ; 肖红领 ; 杨翠柏 ; 冉军学 ; 王翠梅 ; 李晋闽 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN200810240351.4 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂InxGa1-xN层、非掺杂i层InyGa1-yN量子点结构和p型掺杂InxGa1-xN层。本发明采用InxGa1-xN三元合金材料和量子点结构，利用该合金带宽可调节的优点，结合量子点超晶格结构的优势，通过严格控制生长条件，得到高质量的以InyGa1-yN量子点为i层和InxGa1-xN为势垒层的p-i-n结构材料，从而可在理论上达到63％的极限转换效率。 |
| 公开日期 | 2011-08-31 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810240351.4 |
| 专利代理 | 周国城 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22333]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张小宾,王晓亮,肖红领,等. p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法, p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法. CN200810240351.4. |
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