一种制备高速电吸收调制器的方法

	一种制备高速电吸收调制器的方法; 一种制备高速电吸收调制器的方法
	潘教青; 汪洋
专利国别	中国
专利号	CN200810225782.3
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	本发明公开了一种制备高速电吸收调制器的方法，采用量子阱混杂方法，一次外延生长实现有源波导与无源波导集成，同时采用行波电极以进一步提高调制速率，具有高调制速率、低插入损耗、高光饱和吸收功率和偏振不灵敏等特性。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN200810225782.3
专利代理	周国城
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22293]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	潘教青,汪洋. 一种制备高速电吸收调制器的方法, 一种制备高速电吸收调制器的方法. CN200810225782.3.