磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法

	磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法; 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
	杨晓光
专利国别	中国
专利号	CN201010217374.0
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
中文摘要	一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。
公开日期	2011-08-31
语种	中文
专利申请号	CN201010217374.0
专利代理	汤保平
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22191]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓光. 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法, 磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法. CN201010217374.0.