SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制

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	SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制
	周志文 ; 贺敬凯 ; 王瑞春 ; 李成 ; 余金中
刊名	光电子·激光
	2010
卷号	21 期号:11 页码:1609-1613
中文摘要	研制了在SOI衬底上工作于近红外波段的垂直入射GePIN光电探测器.采用低温Ge缓冲层技术,在超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)上生长探测器材料.测试表明,器件的暗电流主要来源于表面漏电流,暗电流密度随着尺寸的增加而减小,在2V偏压时暗电流密度可达17.2mA/cm2;器件在波长1.31μm处的响应度高达0.22A/W,对应量子效率为20.8%.无偏压时,器件的响应光谱在1.2~1.6μm波长范围内观察到4个共振增强峰,分别位于1.25,1.35,1.45和1.55μm左右,峰值半高宽约为50nm,共振增强效应是由SOI衬底的高反射率引起的.采用传输矩阵法模拟的响应光谱与实验测量结果吻合良好
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础发展研究计划资助项目
语种	中文
公开日期	2011-08-16
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21524]
专题	半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	周志文,贺敬凯,王瑞春,等. SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制[J]. 光电子·激光,2010,21(11):1609-1613.
APA	周志文,贺敬凯,王瑞春,李成,&余金中.(2010).SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制.光电子·激光,21(11),1609-1613.
MLA	周志文,et al."SOI基垂直入射Ge PIN光电探测器的研制".光电子·激光 21.11(2010):1609-1613.