| 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法; 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法 | |
| 赵广军 ; 徐军 ; 介明印 ; 苏良碧 ; 徐晓东 ; 张连翰 ; 何晓明 | |
| 2007-07-11 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | ZL200510025560.3 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 中文摘要 | 一种掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法，该激光晶体的分子式为：Yb2xGd2(1-x)SiO5，其中x的取值范围为：0.001≤x≤0.4。其制备方法包括配料、混合粉料、烧结、籽晶、提拉法生长和退火处理等步骤。本发明掺镱硅酸钆激光晶体是一种宽调谐超快激光晶体，具有：宽发射1010-1100nm，离子反转数β＝0.5时，半高宽约为70nm；较高的热导率；晶体生长容易，物化性能稳定等优点。 |
| 公开日期 | 2011-07-14 ; 2011-07-15 |
| 申请日期 | 2005-04-29 |
| 收录类别 | 专利 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200510025560.3 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/10082]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_激光与光电子功能材料研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵广军,徐军,介明印,等. 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法, 掺镱硅酸钆激光晶体及其制备方法. ZL200510025560.3. 2007-07-11. |
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