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	First-principles calculations of properties for chalcogen (S, Se, Te) doped silicon.
	Du, LY; Wu, ZM; Li, SB; Hu, Z; Jiang, YD
刊名	Solid State Communications
	2016
卷号	Vol.226页码:1-4
ISSN号	0038-1098
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/1840477
专题	四川大学
作者单位	1.Sichuan Univ Sci & Engn, Sch Automat & Elect Informat, Zigong 643000, Sichuan, Peoples R China 2.Univ Elect Sci & Technol China, Sch Optoelect Informat, State Key Lab Elect Thin Film & Integrated Device, Chengdu 610054, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Du, LY,Wu, ZM,Li, SB,et al. First-principles calculations of properties for chalcogen (S, Se, Te) doped silicon.[J]. Solid State Communications,2016,Vol.226:1-4.
APA	Du, LY,Wu, ZM,Li, SB,Hu, Z,&Jiang, YD.(2016).First-principles calculations of properties for chalcogen (S, Se, Te) doped silicon..Solid State Communications,Vol.226,1-4.
MLA	Du, LY,et al."First-principles calculations of properties for chalcogen (S, Se, Te) doped silicon.".Solid State Communications Vol.226(2016):1-4.

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