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题名	红外光电子非晶半导体材料的第一性原理研究
作者	王良
答辩日期	2009-05-27
文献子类	博士
授予单位	中国科学院研究生院
导师	陆卫
关键词	第一性原理 分子动力学 非晶半导体 电子态密度 光学性质 结构参数 介电函数虚部
学位专业	微电子学与固体电子学
英文摘要	随着大面积焦平面器件技术的发展，要求红外材料晶片能够与读出集成电路（ROICs）热匹配。目前的Si基读出电路，在制造器件中存在生长条件对衬底的晶面要求高，在大尺寸情况下缺陷密度高等技术瓶颈。在Si基读出电路集成非晶态红外光电子材料，容易实现大面积化，而且不受形状和晶格匹配等限制，是解决大面积焦平面器件技术瓶颈的一种途径。本文构建了多种非晶半导体的模型。对非晶半导体化合物的电子态密度进行了理论计算，研究了非晶结构中无序对电子态密度的影响和光学性质。Ⅲ-Ⅴ族非晶半导体化合物的电子结构都具有相似的结构特征。阴阳离子错键/悬挂键对电子态密度的影响是不同的。分析了非晶半导体化合物HgCdTe原子间的成键机制。非晶结构的无序导致了在成键过程中阳离子原子（Hg和Cd原子）的d态电子与Te原子的p态电子的耦合增强，导致的d态电子沿键长向阳离子原子的迁移，使成键电荷聚集在阳离子周围。非晶半导体化合物的介电函数虚部，不论是非晶Ⅲ-Ⅴ族非晶半导体化合物还是非晶Hg1-xCdxTe，都为一个单峰。各种非晶半导体之所以具有相似的光学性质，原因在于他们的非晶态在短程序上基本保留了其相应晶态短程序的四面体结构。非晶态物质的结构缺陷状况影响介电函数虚部单峰峰值的分布
学科主题	红外基础研究
公开日期	2012-08-22
内容类型	学位论文
源URL	[http://202.127.1.142/handle/181331/5036]
专题	上海技术物理研究所_上海技物所
推荐引用方式 GB/T 7714	王良. 红外光电子非晶半导体材料的第一性原理研究[D]. 中国科学院研究生院. 2009.

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