真空辐射加热基片的温度分布

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	真空辐射加热基片的温度分布
	李帅辉; 舒勇华; 唐锦荣; 樊菁
刊名	力学与实践
	2006
卷号	28 期号:3 页码:19-23
关键词	薄膜气相沉积真空辐射加热基片温度分布
ISSN号	1000-0879
其他题名	THE TEMPERATURE DISTRIBUTION IN A SUBSTRATE RADIATIVELY HEATED IN VACUUM
中文摘要	真空辐射加热下基片表面温度分布的均匀性是薄膜制备中的关键问题之一。采用数值计算和比色红外测温两种方法，研究了作者自行研制的真空辐射加热器（IMCAS-VRH）的性能。利用IMCAS-VRH加热直径6in的单晶硅基片,当电功率为3860W时，基片表面平均温度为1093K,整个基片上的温度变化的测量值约为6 K。基片表面温度分布的计算结果与测量数据符合得很好，进一步的计算分析表明钼丝对辐射的遮挡效应、隔热屏和基片热传导等对基片温度分布均匀性有重要影响。
学科主题	力学
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:2445509
公开日期	2007-06-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/17117]
专题	力学研究所_力学所知识产出(1956-2008)
推荐引用方式 GB/T 7714	李帅辉,舒勇华,唐锦荣,等. 真空辐射加热基片的温度分布[J]. 力学与实践,2006,28(3):19-23.
APA	李帅辉,舒勇华,唐锦荣,&樊菁.(2006).真空辐射加热基片的温度分布.力学与实践,28(3),19-23.
MLA	李帅辉,et al."真空辐射加热基片的温度分布".力学与实践 28.3(2006):19-23.