题名 | III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 |
作者 | 季祥海 |
答辩日期 | 2018-06 |
文献子类 | 博士 |
授予单位 | 中国科学院大学 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 杨涛 研究员 |
关键词 | Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2018-06-04 |
内容类型 | 学位论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28534] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 季祥海. III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征[D]. 北京. 中国科学院大学. 2018. |
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