| 题名 | 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 |
| 作者 | 黄文军 |
| 答辩日期 | 2018-05-24 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 马文全 |
| 关键词 | Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
| 学位专业 | 物理电子学 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-05-28 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28360]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄文军. 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
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