半导体Si中稀土元素杂质与中子辐照缺陷的互作用研究

	半导体Si中稀土元素杂质与中子辐照缺陷的互作用研究
	贾文宝; 苏桐龄
刊名	核技术
	1996-06-10
期号	6 页码:4
关键词	中子辐照缺陷稀土杂质电阻率
ISSN号	0253-3219
中文摘要	用１４ＭｅＶ中子辐照掺有稀土元素杂质及未掺稀土元素杂质的ｎ型Ｓｉ，并用红外吸收谱仪和四探针法测量其参数在辐照前后的变化。红外吸收谱测量表明，在单晶硅中的杂质未形成新的自身成份的红外吸收峰，但电阻率测量表明，掺入稀土元素Ｅｒ和Ｇｄ的Ｓｉ电阻率虽都随着中子注入量的增大而增大，但Ｓｉ（Ｅ）和Ｓｉ（Ｇｄ）的电阻率比率的变化远远小于Ｓｉ的变化。
出版地	SHANGHAI
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/130727]
专题	核科学与技术学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	贾文宝,苏桐龄. 半导体Si中稀土元素杂质与中子辐照缺陷的互作用研究[J]. 核技术,1996(6):4.
APA	贾文宝,&苏桐龄.(1996).半导体Si中稀土元素杂质与中子辐照缺陷的互作用研究.核技术(6),4.
MLA	贾文宝,et al."半导体Si中稀土元素杂质与中子辐照缺陷的互作用研究".核技术 .6(1996):4.