3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究

	3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究
	高发明 ; 张思远
刊名	无机化学学报
	2000
卷号	16 期号:5 页码:751-756
关键词	3d电子化学键共价性 Racah参数穆斯堡尔谱同质异能位移
ISSN号	1001-4861
通讯作者	高发明
中文摘要	本文利用ＰＶ理论通过考虑３ｄ电子对晶体化学键的影响，计算了若干３ｄ过渡金属化合物的化学键参数并运用于Ｒａｃａｈ参数和穆斯堡尔谱同质异能位移的研究，计算得到的结果与实验值符合的很好。
收录类别	CSCD收录国内期刊论文
语种	中文
公开日期	2010-11-04 ; 2011-06-09
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/20203]
专题	长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	高发明,张思远. 3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究[J]. 无机化学学报,2000,16(5):751-756.
APA	高发明,&张思远.(2000).3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究.无机化学学报,16(5),751-756.
MLA	高发明,et al."3d过渡晶体化学键共价性和光谱位移研究".无机化学学报 16.5(2000):751-756.