一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析

	一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析
	杨凌; 胡丙萌; 苏婧; 石莹
刊名	电子元件与材料
	2016
卷号	35 期号:7 页码:98-104
关键词	忆容器荷控模拟器浮地磁滞回线硬件实现
中文摘要	直接从荷控忆容器的数学模型出发,首先采用通用有源电路芯片设计了忆容器"浮地"电路模拟器,之后结合Matlab和Multisim混合仿真的方法,研究了其二端口的基本电特性,给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆容器电路模拟器的系统级仿真实验,最后完成了其硬件电路的实现及性能测试。结果表明:所设计的荷控忆容器具有电荷-电压之间的自收缩磁滞回线特性,是一种具有记忆特性的非线性电容,这与理论概念上的忆容器特性相吻合,可为忆容器在电子学领域产生新的应用电路提供器件模拟实体。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lzu.edu.cn/handle/262010/186788]
专题	信息科学与工程学院_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	杨凌,胡丙萌,苏婧,等. 一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析[J]. 电子元件与材料,2016,35(7):98-104.
APA	杨凌,胡丙萌,苏婧,&石莹.(2016).一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析.电子元件与材料,35(7),98-104.
MLA	杨凌,et al."一种荷控忆容器的电路模拟器设计及其基本特性分析".电子元件与材料 35.7(2016):98-104.