离子辐照引起单晶SiO_2发光特性的研究

	离子辐照引起单晶SiO_2发光特性的研究
	宋银; 张崇宏; 杨义涛; 李炳生; 马艺准; 缑洁; 姚存峰; 贺德衍
	2010-11-01
会议名称	第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会
关键词	光特性 O_2 离子辐照综合实验平台光致发光发光中心发光现象红光发射发光带对称伸缩振动
页码	2
中文摘要	利用320KV高压综合实验平台,对单晶SiO2进行Kr、Xe和Bi等离子400KeV、600KeV、3MeV、4MeV、5MeV和7MeV等能量的辐照研究其光致发光现象,结果表明在380nm、
会议录	第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://202.201.7.4/handle/262010/107926]
专题	物理科学与技术学院_会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	宋银,张崇宏,杨义涛,等. 离子辐照引起单晶SiO_2发光特性的研究[C]. 见:第十四届全国核物理大会暨第十届会员代表大会.